Шокли, Уильям Брэдфорд: биография
- Shockley, W. Electronic energy bands in sodium chloride // Physical Review. — 1936. — Vol. 50. — P. 754-759. — DOI:10.1103/PhysRev.50.754.
- Shockley, W. Currents to Conductors Induced by a Moving Point Charge // Journal of Applied Physics. — 1938. — Vol. 9. — С. 635-636. — DOI:10.1063/1.1710367.
- Pierce, J., Shockley, W. A theory of noise for electron multipliers // Proceedings of the IRE. — 1938. — Vol. 26. — P. 321-332. — ISSN 0731-5996. — DOI:10.1109/JRPROC.1938.228127.
- Shockley, W. On the surface states associated with a periodic potential // Physical Review. — 1939. — Vol. 56. — P. 317-323. — DOI:10.1103/PhysRev.56.317.
- Bardeen, J., Brattain, W., Shockley, W. Investigation of oxidation of copper by use of radioactive Cu tracer // Journal of Chemical Physics. — 1946. — Vol. 14. — P. 714-721. — DOI:10.1063/1.1724091.
- Pearson, G., Shockley, W. Modulation of conductance of thin films of semi-conductors by surface charges // Physical Review. — 1948. — Vol. 74. — P. 232-233. — DOI:10.1103/PhysRev.74.232.
- Haynes, J., Pearson, G., Shockley, W. Hole injection in germanium—quantitative studies and filamentary transistors // Bell Systems Techical Journal. — 1949. — Vol. 28. — P. 344-366.
- Shockley, W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors // Bell Systems Techical Journal. — 1949. — Vol. 28. — P. 435-489.
- Pearson, G., Shockley, W., Sparks, M. Current flow across n-p junctions // Physical Review. — 1949. — Vol. 76. — P. 180.
- Shockley, W. Electrons and Holes in Semiconductors. — Princeton, N.J.: Van Nostrand, 1950.
- русское издание: Шокли, У. Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953. — 714 с.
- Bardeen, J., Shockley, W. Energy bands & mobilities in monatomic semiconductors // Physical Review. — 1950. — Vol. 77. — P. 407-408. — DOI:10.1103/PhysRev.77.407.
- Reed, W., Shockley, W. Dislocation models of crystal grain boundaries // Physical Review. — 1950. — Vol. 78. — P. 275-289. — DOI:10.1103/PhysRev.78.275.
- Bardeen, J. Shockley, W. Energy bands & mobilities in monatomic semiconductors // Physical Review. — 1950. — Vol. 80. — P. 72-80. — DOI:10.1103/PhysRev.77.407.
- Kittel, C., Shockley, W., Williams, H. Studies of the propagation velocity of a ferromagnetic domain boundary // Physical Review. — 1950. — Vol. 80. — P. 1090-1094. — DOI:10.1103/PhysRev.80.1090.
- Haynes, J., Shockley, W. The mobility and life of injected holes and electrons in germanium // Physical Review. — 1951. — Vol. 81. — P. 835-843. — DOI:10.1103/PhysRev.81.835.
- Shockley, W., Sparks, M., Teal, G. P-n junction transistors // Physical Review. — 1951. — Vol. 83. — P. 151-162. — DOI:10.1103/PhysRev.83.151.
- Reed, W., Shockley, W. Statistics of the recombinations of holes and electrons // Physical Review. — 1952. — Vol. 87. — P. 835-842. — DOI:10.1103/PhysRev.87.835.
- Shockley, W. Transistor electronics: imperfections, unipolar and analog transistors // Proceedings of the IRE. — 1952. — Vol. 40. — P. 1289-1313. — DOI:10.1109/JRPROC.1952.273954.
- Last, J. Shockley, W. Statistics of the charge distribution for a localized flaw in a semiconductor // Physical Review. — 1957. — Vol. 107. — P. 392-396. — DOI:10.1103/PhysRev.107.392.
- Sah, C., Noyce, R., Shockley, W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics // Proceedings of the IRE. — 1957. — Vol. 46. — P. 1228-1243. — DOI:10.1109/JRPROC.1957.278528.
- Shockley, W. Electrons, holes, and traps // Proceedings of the IRE. — 1958. — Vol. 46. — P. 973-990. — DOI:10.1109/JRPROC.1958.286837.
- Shockley, W. Problems related to p-n junctions in silicon // Solid-State Electronics. — 1961. — Vol. 2. — P. 35-67. — DOI:10.1016/0038-1101(61)90054-5.
- Quiesser, H., Shockley, W. Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells // Journal of Applied Physics. — 1961. — Vol. 32. — P. 510-519. — ISSN 0021-8979. — DOI:10.1063/1.1736034.
- Shockley, W. Diffusion and drift of minority carriers in semiconductors for comparable capture and scattering mean free paths // Physical Review. — 1962. — Vol. 125. — P. 1570-1576. — DOI:10.1103/PhysRev.125.1570.
- Hooper, H., Quiesser, H., Shockley, W., Schroen, W. Mobile electric charges on insulating oxides with application to oxide covered silicon p-n junctions // Surface Science. — 1964. — Vol. 2. — P. 277-287. — ISSN 0039-6028. — DOI:10.1016/0039-6028(64)90067-6.
- В. Шокли, Ф. Никс. Процессы упорядочения в сплавах. // УФН. — 1938. — № 7.
- В. Шокли, Ф. Никс. Превращения в сплавах. // УФН. — 1938. — № 8.
- В. Шокли. Природа металлического состояния. // УФН. — 1941. — № 3.
- Шокли, В. Физика транзисторов // Успехи физических наук. — 1958. — Т. LXIV, № 1. — С. 155-192.
- У. Шокли. Проблемы,связанные с р -n-переходами в кремнии. // УФН. — 1962. — Т. 77, № 5.
КОММЕНТАРИИ
