Эрнест Константинович Арушанов (род. 4 февраля 1941, Баку) — советский и молдавский физик-экспериментатор, действительный член Академии наук Молдовы.
Биография
Родился и вырос в Баку, где в 1958 году окончил школу . Сразу после окончания школы приехал в Кишинев, где поступил в Кишиневский государственный университет на физико-математический факультет. В 1963 году, после успешного окончания университета, он поступил в аспирантуру, результатом которой явилась кандидатская диссертация в области физики полупроводниковых соединений(1969). В период с 1967 по 1986 год работает научным сотрудником в Институте Прикладной Физики, АН Молдавской ССР, под началом Сергея Ивановича Радауцана. Тогда же, в 1984 году, защищает докторскую диссертацию. С 1986 по 1988 — заведующий в созданной им же лаборатории узкозонных материалов. В 1988 назначен на пост заместителя директора Института прикладной физики. В 1989 Арушанову присуждают звание профессора, а в 1992 он был избран членом-корреспондентом Академии наук Молдовы.
После распада СССР Эрнест Арушанов вносит неоценимый вклад в сохранение дееспособности института, привлекая иностранные инвестиции для дальнейшего развития молдавской науки в целом и для развития физики в частности. В 1997 году оставляет пост заместителя директора и становится заведующим лаборатории материалов и структур для солнечных элементов.
В 2000 году на общем собрании Ассамблеи Академии наук Молдовы Эрнест Константинович Арушанов был избран её действительным членом .
Педагогическая деятельность
Преподавательский опыт Арушанова Э. К. насчитывает более 40 лет. Так первый курс по физике полупроводников он читал в Кишиневском политехническом институте имени Сергея Лазо в период с 1970 по 1972 год. В дальнейшем там же, тогда ещё доцент, Арушанов читает курс лекций по материаловедению и физике полупроводников (1986—1988).
Распад Советского Союза открыл дорогу советским профессорам и учёным на запад, чем не преминул воспользоваться Арушанов Э. К. В 1993—1994 годах он проводит семинарские занятия по физике полупроводников в Констанцском университете, Германия. Далее следуют приглашения во Францию, где Арушанову предлагают читать курс по Физике, сначала в 1995 и 1996 в университете Поля Сабатье в Тулузе, а затем в 2002 в Парижском университете. Также Эрнест Арушанов в различное время читал лекции в качестве приглашенного профессора в профильных институтах и университетах Австрии, Англии, Голландии, Испании, Канады, Польши, Сингапура и Швейцарии.
С 1974 года Арушанов Эрнест Константинович подготовил 15 кандидатов наук, и продолжает передавать свои знания нынешним аспирантам.
Научная деятельность
Сферы научных интересов Эрнеста Константиновича Арушанова крайне многообразны, однако все же основу его трудов составляют работы по теории явлений переноса в различных полупроводниковых соединений. Об этом свидетельствуют обе его диссертации, как кандидатская так и докторская.
Кандидатская диссертация Арушанова Э. К. «Исследование эффекта переноса в монокристаллах сурьмянистого кадмия» была написана благодаря работе в лабораториях Кишиневского государственного университета и Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе (Ленинград). Научным руководителем был один из лучших профессоров КГУ, тогда ещё доцент и кандидат физико-математических наук, Андроник Иван Константинович. Стоит отметить, что одним из официальных оппонентов выступил будущий действительный член трёх академий наук (Нью-Йоркской, Азербайджанской и Международной академии экоэнергетики) и достаточно известный учёный в области физики полупроводников Максуд Исфандияр оглы Алиев, он же стал оппонентом и в ходе защиты Арушановым его докторской диссертации («Явления переноса и зонная структура полупроводников A23B52 и A2B5 на основе кадмия»). Вторым оппонентом на защите докторской диссертации стал лауреат Государственной премии СССР, доктор физико-математических наук, профессор [Регель, Анатолий Робертович].
Докторская диссертация Эрнеста Арушанова заложила начало нового научного направления в физике и материаловедении полупроводников — получение монокристаллов, определение зонной структуры, механизмов рассеяния носителей заряда и пути практического применения полупроводников A23B52 и A2B5 на основе кадмия.
