Лео Эсаки (яп. Эсаки Рэона?, известен также как Рэона Эсаки или Леона Эсаки; род. 12 марта 1925, Осака, Япония) — японский физик, лауреат Нобелевской премии по физике в 1973 году. Половина премии, совместно с Айваром Джайевером, «за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках». Вторая половина присуждена Б. Д. Джозефсону «за теоретическое предсказание свойств тока, проходящего через туннельный барьер, в частности явлений, общеизвестных ныне под названием эффектов Джозефсона». Лео Эсаки также известен как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона.
Лео Эсаки изучал физику в Токийском университете, получил степень бакалавра в 1947 году, степень доктора философии в 1959 году. Нобелевскую премию получил за исследования, проведённые в 1958 году во время работы в компании Sony. Впоследствии в 1960 году переехал в США и стал работать в исследовательском центре фирмы IBM, где был удостоен звания лауреата IBM в 1967 году.
Награды и признание
- Мемориальная премия Нисины (1959)
- Премия Асахи (1959)
- Toray Science and Technology Prize (1960)
- Премия Морриса Либманна (1961)
- Медаль Стюарта Баллантайна (1961)
- Премия Японской академии (1965)
- Нобелевская премия по физике за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках (1973)
- Международная премия за новые материалы (1985)
- Премия Гарольда Пендера (1989)
- Медаль почёта IEEE (1991)
- Премия Японии (1998)
В его честь названа Премия Лео Эсаки.
