Владимир Моисеевич Кошкин (20 ноября 1936, Харьков — 17 января 2011, Харьков) — советский и украинский физик, область научных интересов — физика твердого тела и полупроводников, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физической химии НТУ «ХПИ». Лауреат Государственной премии Украины (2001), заслуженный деятель науки и техники Украины (2009).
Биография
Родился 20 ноября 1936 г. в Харькове. Отец — Моисей Львович Кошкин (1897—1965), доктор медицинских наук, профессор, заведовал кафедрой общей гигиены в Харьковском медицинском институте. Мать — Дора Марковна Горфункель-Кошкина (1901—1983), кандидат медицинских наук, заведовала биохимической лабораторией Харьковского института вакцин и сывороток им. И. И. Мечникова.
В 1959 г. окончил Харьковский Государственный университет. С 1960 по 1966 годы работал научным сотрудником в Научно-исследовательском институте основной химии (НИОХИМ, Харьков). В 1966 году перешел во Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов, где со временем возглавил сектор радиационно-стойких кристаллов. В 1964 г. защитил кандидатскую диссертацию, в 1972 – докторскую. В 1981 г. стал профессором. С 1973 г. занимался преподавательской деятельностью. С 1973 по 1974 – лектор в Харьковском государственном университете. В 1975-1977 и 1979-1981 годах – лектор в Харьковском политехническом институте. В январе 1982 года возглавил кафедру физической химии (ныне – физической и коллоидной химии) НТУ «ХПИ». Под руководством В. Кошкина защитили кандидатские диссертации 14 научных работников. Умер 17 января 2011 года в Харькове. 21 ноября 2011 года в память о Владимире Кошкине была открыта мемориальная доска на здании химического корпуса НТУ «ХПИ».
Научная деятельность
Физика
Многокомпонентные полупроводники В составе рабочей группы синтезировал новые трехкомпонентные полупроводники. Предложил обобщенную систему кристаллохимических радиусов элементов с учетом ионности связей и полуэмпирическую зависимость степени ионности в кристаллах с тетраэдрическими связями. Полупроводники со стехиометрическими вакансиями Выявил свойство химической инертности примесей полупроводников со стехиометрическими вакансиями при исследовании алмазоподобных твердых растворов. Это было признано открытием и внесено в Государственный реестр открытий СССР. Открытие расширило представления о поведении примесей в твердых телах и позволило создать высокочувствительные терморезисторы и тензорезисторы. Радиационно-стойкие кристаллические вещества Обнаружил, что полупроводники типа In2Te3 не изменяют свои параметры после воздействия доз до 1018 квантов излучения Со60 с энергией 1 МэВ и 1016 быстрых нейтронов реактора. В 1971 г. совместно с Ю. Р. Забродским получил авторское свидетельство на металлические сплавы с повышенным радиационным ресурсом. Разработал общий кристаллографический критерий радиационной стойкости неметаллических соединений. С Ю. Р. Забродским и Ю. Н. Дмитриевым предложил и разработал идею создания металлических сплавов с повышенным радиационным ресурсом для ядерных реакторов. Равновесные «мерцающие пары» Исследовал равновесные неустойчивые пары «вакансия – атом (или ион)» в междоузлии. Вместе с Ю. Забродским и Ю. Решетняком показал, что взаимодействие равновесных короткоживущих («мерцающих») диполей, определяет свойства суперионных кристаллов. Исследовал фазовые переходы суперионик–сегнетоэлектрик и показал, что тепловые и диффузионные свойства металлов при высоких температурах удается непротиворечиво описать с использованием модели неустойчивых пар вакансия–междоузельник. Вместе с коллегами доказал, что подобные «мерцающие пары» являют собой третий тип равновесных дефектов. Интеркаляция Впервые обнаружил, возможность равновесного интеркалирования электроноакцепторными молекулами, заменяя матрицы для интеркалирования на структуры, имеющие инверсный кристаллохимический мотив. Выявил порог одноосного давления перпендикулярного кристаллографическим слоям (порядка 10 Н/см2), превышение которого приводит к запрету проникновения инородных молекул в слоистую матрицу - эффектом экстеркаляции. Выявил, что интеркаляция слоистых полупроводников в химически «кислой», протонированной среде приводит к образованию квазиодномерных кристаллических структур элементоорганических соединений, а не слоистых. За работу в этой области Владимиру Кошкину была присуждена Государственная премия Украины.
