Саймон Мин Зи (кит. трад. , пиньинь: Sh Mn, англ. Simon Min Sze, родился 21 мая 1936) — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников (1969, русское издание — 1984).
Зи родился в Нанкине и вырос на Тайване. Получив в 1957 году диплом бакалавра Национального университета Тайваня, Зи уехал в США и обучался физике в Вашингтонском университете (магистр, 1960) и Стэнфорде (доктор, 1963). Зи проработал почти тридцать лет на Bell Labs, а в 1990 году вернулся на Тайвань и возглавил кафедру Национального Университета Цзяо Тун (NCTU).
Научные работы Зи 1960-х и 1970-х годов посвящены вопросам прикладной физики полупроводников — явлению лавинного пробоя, явлениям на границе раздела металл-полупроводник, микроволновым и оптоэлектронным устройствам. В 1967 году Зи и Дейвон Канг предложили концепцию полевого транзистора с плавающим затвором — элементарной ячейки энергонезависимой памяти. Первая практическая реализация идей Зи и Канга, EPROM, была запатентована в 1971 году. В 1978 году последовали основанные на том же принципе EEPROM и флеш-память, в 1997 году — первые прецизионные микросхемы аналоговой памяти на плавающих затворах.
В 1969 году Зи выпустил первое английское издание обзорной монографии «Физика полупроводниковых приборов» (англ. Physics of Semiconductor Devices), впоследствии неоднократно переиздававшейся на шести языках. По данным ISI Press, книга Зи — самая цитируемая работа в своей области. В 1986—1990 годах Зи возглавлял редколлегию IEEE Electron Device Letters. Зи — лауреат премии Эберса 1991 года «за фундаментальный, новаторский вклад [в прикладную науку] и как автору широко используемых учебников и справочников по электронным приборам».
