Октябрь Васильевич Емельяненко (7 ноября 1926 — 27 мая 2012) — советский физик, внес значительный вклад в фундаментальные исследования полупроводниковых свойств соединений AIIIBV, прокладывая дорогу к созданию первых полупроводниковых лазеров, оптоэлектроники, светодиодов, солнечных элементов, инфракрасных детекторов, других полупроводниковых приборов.
Биография
Подростком пережил блокаду, был эвакуирован с младшими братьями и сестрой в Восточную Сибирь. В 1945 году в возрасте семнадцати лет был призван на Восточный фронт.
После окончания войны остался на сверхсрочной службе. Во время службы в армии заочно получил среднее и высшее образование (закончил физический факультет ЛГУ). Был принят в аспирантуру.
Кандидат физико-математических наук, с 1955 по 1989 год — сотрудник Лаборатории полупроводников Д. Н. Наследова (с 1957 года — лаборатория электронных полупроводников; с 1974 года — заведующий А. А. Рогачев).
В 1968 году на юбилейных торжествах, посвящённых 50-летию Физтеха, Ж. И. Алфёров отметил ведущую роль лаборатории Д. Н. Наследова в освоении и изучении AIIIBV, их техническом применении, в создании первых полупроводниковых лазеров и в развитии оптоэлектроники: «Вслед за открытием полупроводниковых свойств AIIIBV сотрудниками ФТИ проделана большая работа по систематическому изучению явлений, связанных с протеканием электрического тока в этих соединениях. Закономерным следствием этого факта явилось создание физических предпосылок для разработки инжекционного полупроводникового лазера и целого семейства других полупроводниковых приборов на основе соединений AIIIBV именно в ФТИ. Основная заслуга в этом принадлежит Д. Н. Наследову и его сотрудникам»
Деятельность
Полупроводниковые свойства соединений AIIIBV были открыты в 1950 году А. Р. Регелем и Н. А. Горюновой на примере антимонида индия.
Соединения AIIIBV в 1950-х годах изучались только в лаборатории профессора Генриха Велькера в ФРГ и лаборатории Д. Н. Наследова в Физико-техническом институте (ФТИ, Физтех) АН СССР.
Практическая и научная значимость полупроводников AIIIBV стала очевидна только через определённый период благодаря усилиям исследователей этих двух лабораторий.
Первый доклад о полупроводниковых свойствах AIIIBV в СССР был сделан в 1956 году на 1-й Всесоюзной конференции по полупроводникам. В докладе было отмечено, что в соединениях AIIIBV ни электропроводность, ни эффект Холла не зависят от температуры. В исследованиях О. В. Емельяненко было установлено, что это явление — следствие сильного вырождения электронного газа, типичное для сильно легированных AIIIBV. Принципиально новые эффекты в таких материалах в дальнейшем образовали новый раздел физики — физику сильно легированных полупроводников.
В дальнейшем группа О. В. Емельяненко провела обширные фундаментальные исследования явлений переноса в AIIIBV. Существенные результаты получены в исследованиях примесной зоны; в изучении перехода «металл-полупроводник».
Группе О. В. Емельяненко удалось открыть гигантское магнетосопротивление при движении носителей по примесям и определить природу отрицательного (квантового) магнетосопротивления.
Ученики О. В. Емельяненко, сотрудники группы, аспиранты внесли заметный вклад в развитие направления. Среди них к.ф.м.н. Т. С. Лагунова, к.ф.м.н. Т. И. Воронина, к.ф.м.н. З. Ш. Овсюк, д.ф.м.н. Н. А. Урманов, д.ф.м.н. профессор Д. Д. Недеогло, д.ф.м.н. профессор Ф. П. Кесаманлы и другие.
Полученные группой О. В. Емельяненко результаты входят в современное понимание полупроводниковых свойств соединений AIIIBV (в частности, арсенида галлия); работы О. В. Емельяненко как основополагающие до настоящего времени включаются в списки литературы диссертантами и авторами вузовских курсов.
